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內(nèi)存延遲是指等待對系統(tǒng)內(nèi)存中存儲數(shù)據(jù)的訪問完成時引起的延期。根本問題在于處理器 (如英特爾?至強TM處理器) 的主頻接近4 GHz， 而內(nèi)存芯片速率僅為400 MHz (如DDR 3200內(nèi)存) —時鐘速度之比為10:1。因此，當處理器需要處于內(nèi)存高速緩存之外的數(shù)據(jù)項時，每個周期必須等待10個時鐘周期才能使內(nèi)存芯片完成數(shù)據(jù)的提取和發(fā)送。通常，這些提取需要檢索多個內(nèi)存周期，然后需要更長時間通過到處理器的路徑。這就意味著提取數(shù)據(jù)會占用數(shù)百個處理器時鐘周期，在此期間應(yīng)用不能處理其它任何任務(wù)。

內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時間，它通常用4個連著的阿拉伯數(shù)字來表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四個數(shù)中越往后值越大，這4個數(shù)字越小，表示內(nèi)存性能越好。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際內(nèi)存標準組織認為以現(xiàn)在的動態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無法實現(xiàn)0或者1的延遲。但也并非延遲越小內(nèi)存性能越高，因為CL-TRP-TRCD-TRAS這四個數(shù)值是配合使用的，相互影響的程度非常大，并且也不是數(shù)值最大時其性能也最差，那么更加合理的配比參數(shù)很重要。

第一個數(shù)字最為重要，表示注冊讀取命令到第一個輸出數(shù)據(jù)之間的延遲(CAS Latency)，即CL值，單位是時鐘周期。這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時間。

第二個數(shù)字表示 內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時間(RAS Precharge)，即tRP。指內(nèi)存從結(jié)束一個行訪問到重新開始的間隔時間。

第三個數(shù)字表示從內(nèi)存行地址到列地址的延遲時間(RAS to CAS Delay)，即tRCD。

第四個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器激活時間Act-to-Precharge Precharge Delay(tRAS)。

選擇購買內(nèi)存時，最好選擇同樣CL設(shè)置的內(nèi)存，因為不同速度的內(nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，系統(tǒng)會以較慢的速度來運行，也就是當CL2.5和CL2的內(nèi)存同時插在主機內(nèi)，系統(tǒng)會自動讓兩條內(nèi)存都工作在CL2.5狀態(tài)，造成資源浪費。

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