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三星計劃在2027年將1.4 nm工藝用上BSPDN供電技術(shù)

2023-08-17 22:40:28 來源:環(huán)球網(wǎng)


(資料圖片僅供參考)

8月17日消息,據(jù)外媒報道稱,三星計劃在2027年讓1.4nm工藝用上BSPDN背部供電技術(shù)。據(jù)悉,這是三星電子首次披露其 BSPDN 開發(fā)進程。

資料顯示,背部供電(BSPDN)技術(shù)是一項應(yīng)用于先進半導體的創(chuàng)新技術(shù),旨在更好地挖掘晶圓背面空間的潛力,但至今仍未在全球范圍內(nèi)實施。

三星電子相關(guān)人士表示:“采用背面供電技術(shù)的半導體的量產(chǎn)時間可能會根據(jù)客戶的日程安排而改變?!?/p>

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