(資料圖片)

韓國半導體制造商SK海力士于8月21日宣布，成功研發(fā)出面向人工智能（AI）的超高性能動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）新產(chǎn)品HBM3E，并已開始向客戶提供樣品進行性能驗證。HBM（High Bandwidth Memory）是一種通過垂直連接多個DRAM，從而顯著提升數(shù)據(jù)處理速度的存儲器。HBM3E是HBM3的擴展版本，也是HBM系列的第五代產(chǎn)品。SK海力士表示，公司以唯一量產(chǎn)HBM3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出全球最高性能的擴展版HBM3E。并憑借業(yè)界最大規(guī)模的HBM供應經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度，將從明年上半年開始投入HBM3E量產(chǎn)，以此夯實在面向AI的存儲器市場中獨一無二的地位。據(jù)介紹，HBM3E在速度方面，最高每秒可以處理1.15TB（太字節(jié)）的數(shù)據(jù)，相當于在1秒內(nèi)可處理230部全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級電影（5千兆字節(jié)，5GB）。此外，SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。英偉達Hyperscale和HPC部門副總裁伊恩·巴克表示，英偉達為了最先進加速計算解決方案所應用的HBM，與SK海力士進行了長期的合作。他期待兩家公司在HBM3E領(lǐng)域的持續(xù)合作，以展示新一代AI計算。

關(guān)鍵詞：